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              日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
              日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀 價格:10  元(人民幣) 產地:日本
              最少起訂量:1 發貨地:廣東東莞市
              上架時間:2020-11-24 09:15:51 瀏覽量:128
              深圳市秋山貿易有限公司  
              經營模式:貿易公司 公司類型:私營獨資企業
              所屬行業:儀器儀表加工設備 主要客戶:化妝品公司、食品公司、醫藥品公司
                在線咨詢 跟我QQ洽談

              聯系方式

              聯系人:黃靜雯 (小姐) 手機:18922956537
              電話: 傳真:
              郵箱:akiyama_huang@163.com 地址:深圳市龍華區民治街道天宮國際安防電子廣場10D1033

              詳細介紹

              日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
              只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
              在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
              使用JOG撥盤輕松設置測量條件
              連接到連接器的可替換電阻測量探頭可支持多種電阻

              (電阻探頭:最多可以使用2 + PN判斷探頭)

              日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀

               

               

              測量規格

              測量目標

              半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
              新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
              導電薄膜相關(金屬,ITO等)
              硅基外延,離子與
              半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
              其他(*請與我們聯系)

              測量尺寸

              無論樣品大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

               

              測量范圍

              [電阻] 1m至200Ω·cm 
              (*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
              [板電阻] 10m至3kΩ / sq 
              (*所有探頭類型的總范圍)

               

              *有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內容。
              (1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
              0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
              (3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-cm)
              (4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
              (5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

              測量規格

              測量目標

              半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
              新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
              導電薄膜相關(金屬,ITO等)
              硅基外延,離子與
              半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
              其他(*請與我們聯系)

              測量尺寸

              無論樣品大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

               

              測量范圍

              [電阻] 1m至200Ω·cm 
              (*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
              [板電阻] 10m至3kΩ / sq 
              (*所有探頭類型的總范圍)

               

              *有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內容。
              (1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
              0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
              (3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-cm)
              (4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
              (5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

              日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀

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