萊寶真空泵在半導體工業中的關鍵作用:工藝革新與先進制程的真空解決方案 |
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價格:29999 元(人民幣) | 產地:廣東東莞市 |
最少起訂量:1臺 | 發貨地:廣東東莞市 | |
上架時間:2025-04-23 11:09:40 | 瀏覽量:43 | |
東莞市飛粵真空科技有限公司
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經營模式:經銷商 | 公司類型:私營有限責任公司 | |
所屬行業:真空泵 | 主要客戶:全國 | |
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萊寶真空泵在半導體工業中的關鍵作用:工藝革新與先進制程的真空解決方案
半導體制造中的真空技術基礎 萊寶真空泵作為半導體制造的核心設備之一,為整個產業提供了關鍵的真空環境支持。在半導體制造過程中,真空技術主要實現以下功能: - 創造無污染環境(避免氧化和雜質摻入) - 控制氣體流動和化學反應 - 實現精確的材料沉積和蝕刻 - 保證工藝重復性和穩定性
1. 薄膜沉積工藝 (1) 化學氣相沉積(CVD) - 應用場景:介電層(SiO?、SiN)、多晶硅、金屬層的沉積 - 技術要點:萊寶渦輪分子泵提供10??~10?? mbar的高真空環境 - 設備優勢:干式運行避免油污染,確保薄膜純度和均勻性 (2) 物理氣相沉積(PVD) - 濺射鍍膜:用于Al、Cu、Ti等金屬層的沉積 - 蒸發鍍膜:高真空環境(10?? mbar)下的金屬蒸鍍 - 萊寶解決方案:MAGiNTEGRA系列渦輪分子泵提供穩定真空基礎 2. 離子注入工藝 - 工藝要求:10??~10?? mbar的工作壓力 - 萊寶設備:RUVAC WH系列羅茨泵與干式前級泵組合 - 技術優勢:快速抽空能力,精確控制注入環境 3. 光刻技術 (1) EUV光刻 - 特殊需求:極高真空(10??? mbar)和氫氣處理能力 - 萊寶創新:專門開發的氫氣兼容渦輪分子泵 - 性能指標:抽速達2000 m?/h,滿足7nm以下制程需求 (2) 傳統光刻 - 真空應用:光刻膠處理、掩模版清潔 - 設備選擇:SCROLLVAC干式渦旋泵 4. 蝕刻工藝 - 等離子蝕刻:精確控制反應氣體和副產物排除 - 深硅蝕刻:高深寬比結構的刻蝕控制 - 萊寶方案:COBRA干式泵耐腐蝕設計,處理活性氣體
1. 3D封裝技術 - TSV硅通孔工藝:真空環境下的深孔刻蝕和填充 - 晶圓鍵合:真空環境下的分子級鍵合 2. 倒裝芯片封裝 - 底部填充:真空輔助毛細流動 - 回流焊:真空環境減少焊料氧化
1. 第三代半導體制造 - GaN外延生長:MOCVD設備的真空系統 - SiC器件制造:高溫工藝的真空解決方案 2. 存儲器制造 - 3D NAND:多層堆疊結構的真空沉積和蝕刻 - DRAM:高深寬比電容結構的形成
1.潔凈度保障 - 全干式運行設計 - 零油蒸汽反流 - 適合Class 1潔凈室 2. 工藝穩定性 - ±1%的壓力控制精度 - 快速響應氣體負荷變化 - 24/7連續運行可靠性 3. 能效表現 - 變頻驅動節能技術 - 熱量回收系統 - 比傳統泵節能30-40% 4. **智能化功能** - 實時振動監測 - 預測性維護系統 - 遠程診斷接口
1. 面向2nm及以下制程 - 更高抽速的分子泵研發 - 極低振動設計 - 超高真空穩定性控制 2. 新型存儲技術支持 - MRAM制造工藝適配 - 相變存儲器真空需求 3. 綠色制造 - 進一步降低能耗 - 減少全生命周期碳足跡 萊寶真空泵通過持續技術創新,為半導體工業提供從成熟制程到工藝的全方位真空解決方案,成為半導體制造裝備鏈中不可或缺的關鍵環節。 ![]() ![]() ![]() |
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