晶體管動態特性測試系統STA1200 |
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價格:980000 元(人民幣) | 產地:陜西 |
最少起訂量:1套 | 發貨地:西安市 | |
上架時間:2024-03-15 17:57:55 | 瀏覽量:170 | |
陜西天士立科技有限公司
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經營模式:生產加工 | 公司類型: | |
所屬行業:電子測量儀器 | 主要客戶: | |
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聯系人:王偉 () | 手機:13186093180 |
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郵箱:tianshili_email@163.com | 地址:陜西省西安市長安區王寺街道西部生命科學園10號樓北202 |
晶體管動態特性測試系統STA1200
陜西天士立科技有限公司 專注半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗
晶體管動態特性測試系統STA1200 基礎信息 高壓源:1200V(選配2000V) 高流源:100A(選配200A/300A/500A) 驅動電壓:±20V(選配±30V) 時間分辨率:1ns(選配400ps/200ps/100ps) 系統雜感:<20nH 測試對象:Si(SiC/GaN)IGBT,Diode,MOSFET(選配BJT) 變溫測試:常溫~150℃/200℃ 感性負載:程控電感(0.01~160mH,步進10uH) 阻性負載:程控電阻(1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω)備用三個 測試管型:可以測試N溝道和P溝道的IGBTs,MOSFETs 測試標準:IEC60747-9/IEC60747-2,GB/T29332/GB/T4023
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晶體管動態特性測試系統STA1200 試驗原理舉例
晶體管動態特性測試系統STA1200 技術特點 1. 專注寬禁帶功率器件動態參數評測,軟件程控,測試條件界面化輸入,系統閉環處理,自動調節一鍵測試 2. 采用光纖驅動信號通訊,響應速度快,抗干擾能力強 3. 自動加熱可由室溫~200℃,精度±0.1℃ 4. 測試結果Excel,JPEG波形,波形任意縮放細節展寬分析 5. 測試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實測) 6. 柵極驅動電阻Rg端口開放,按設定條件匹配電阻 7. DualARM控核,DSP數據采樣計算,極大減少控制時延誤差
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晶體管動態特性測試系統STA1200 試驗能力 標配:開通特性測試單元/Turn_ON 標配:關斷特性測試單元/Turn_OFF 標配:二極管反向恢復測試單元/Trr 標配:柵電荷測試單元/Qg¨ 選配:容阻測 試單元/CR¨ 選配:短路測試單元/SC¨ 選配:雪崩測試單元/UIS¨ 選配:安全工作區單元/SOA¨ 選配:動態電阻單元/
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晶體管動態特性測試系統STA1200 參數指標
¨ 選配 動態電阻Ron,dy
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晶體管動態特性測試系統STA1200
晶體管動態特性測試系統STA1200
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