IGBT靜態參數綜合特性測試儀 |
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價格: 元(人民幣) | 產地:廣東深圳市 |
最少起訂量:1臺 | 發貨地:廣東深圳市 | |
上架時間:2020-09-21 11:19:02 | 瀏覽量:308 | |
深圳市華科智源科技有限公司
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經營模式:生產加工 | 公司類型:私營獨資企業 | |
所屬行業:儀器儀表加工設備 | 主要客戶:華為,中興 | |
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聯系人:陳少龍 (先生) | 手機:13008867918 |
電話: |
傳真: |
郵箱:chensl@hustec.cn | 地址:深圳市寶安區西鄉街道 |
HUSTEC華科智源
IGBT靜態參數綜合特性測試儀資料介紹
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HUSTEC-1600A-MT
IGBT綜合特性測試儀
一:主要特點 A:IGBT單管及模塊, B:大功率場效應管(Mosfet) C:大功率二極管 D:標準低阻值電阻
E:軌道交通,風力發電,新能源汽車,變頻器,焊機等行業篩選以及在線故障檢測
三、華科智源IGBT測試儀系統特征: A:測量多種IGBT、MOS管 B:最大脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣; C:脈沖寬度 50uS~300uS D:Vce測量精度2mV E:Vce測量范圍>10V F:電腦圖形顯示界面 G:智能保護被測量器件 H:上位機攜帶數據庫功能 I:MOS IGBT內部二極管壓降 J : 一次測試IGBT全部靜態參數 K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)
L:可以進行不同曲線的對比,觀測同一批次產品的曲線狀態,或者不同廠家同一規格參數的曲線對比;
序號
測試項目
描述
測量范圍
分辨率
精度
1
VF
二極管正向導通壓降
0~20V
1mV
±1%,±1mV
2
IF
二極管正向導通電流
0~1200A
≤200A時,0.1A
≤200A時,±1%±0.1A
3
>200A時,1A
>200A時,±1%
4
Vces
集電極-發射極電壓
0~5000V
1V
±1%,±1V
5
Ic
通態集電極電流
0~1200A
≤200A時,0.1A
≤200A時,±1%±0.1A
6
>200A時,1A
>200A時,±1%
7
Ices
集電極-發射極漏電流
0~50mA
1nA
±1%,±10μA
8
Vgeth
柵極-發射極閾值電壓
0~20V
1mV
±1%,±1mV
9
Vcesat
集電極-發射極飽和電壓
0~20V
1mV
±1%,±1mV
10
Igesf
正向柵極漏電流
0~10uA
1nA
±2%,±1nA
11
Igesr
反向柵極漏電流
12
Vges
柵極發射極電壓
0~40V
1mV
±1%,±1mV
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