HUSTEC-5000
功率器件參數及圖示測試系統
1． 系統配置簡介
1.1 系統概述
HUSTEC-5000是一款很具有代表性的新型半導體晶體管圖示系統，本系統可自動生成功率器件的I-V曲線，也可根據客戶的實際需求設置功能測試，直接讀取數顯結果。系統在失效分析，IQC來料檢驗及高校實驗室等部門有廣泛的應用。系統生成的曲線都使用ATE系統逐點建立，保證了數據的準確可靠。系統典型的測試時間是6 to 20ms,通常上百個數據點曲線只需要幾秒鐘時間便可以展現出來，數據捕獲的曲線可導入EXCEL等格式進一步分析研究，是一款高效多功能的高端半導體測試設備。
本系統使用方便，只需要通過USB或者RS232與電腦連接，通過電腦中友好的人機界面操作，即可完成測試。并可以實現測試數據以EXCEL和WORD的格式保存。系統提供過電保護功能，門極過電保護適配器提供了廣泛的診斷測試。這些自我測試診斷被編成測試代碼,以提供自我測試夾具,在任何時間都可以檢測。對診斷設備狀態和測試結果提供了可靠地保證。
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技術指標
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主極參數
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控制極參數
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指標
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標配
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指標
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標配
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②主極電壓:
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1mV-2000V
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①控制極電壓：
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100mV-20V
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②電壓分辨率：
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1mV
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②電壓分辨率：
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1mV
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③主極電流：
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0.1nA-100A
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可擴展1250A
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③控制極電流：
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100nA-10A
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④電流分辨率：
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0.1nA
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⑤測試精度：
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0.2%+2LSB
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⑥測試速度：
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0.5mS/參數
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1.3 HUSTEC-5000測試系統是一套高速多用途半導體分立器件智能測試系統，它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力，可真實準確測試下列各種大、中、小功率的半導體分立器件。
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測試范圍 / 測試參數
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測試器件
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測試參數
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絕緣柵雙極大功率晶體管
IGBT
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ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；
VGEON；VF；GFS
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MOS場效應管
MOS-FET
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IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；
VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS
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J型場效應管
J-FET
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IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；
IDSS；GFS；VGSOFF
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二極管
DIODE
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IR；BVR ；VF
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晶體管
（NPN型/PNP型）
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ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；
BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF
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雙向可控硅
TRIAC
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VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-
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可控硅
SCR
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IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；
IGT；VGT；IL；IH
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硅觸發可控硅
STS
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IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；
VPK-；VGSW+；VGSW-
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達林頓陣列
DARLINTON
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ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；
BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；
VCESAT； VBESAT；VBEON
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光電耦合
OPTO-COUPLER
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ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；
CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)
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繼電器
RELAY
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RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME
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穩壓、齊納二極管
ZENER
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IR；BVZ；VF；ZZ
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三端穩壓器
REGULATOR
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Vout；Iin；
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光電開關
OPTO-SWITCH
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ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF
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光電邏輯
OPTO-LOGIC
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IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF
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金屬氧化物壓變電阻
MOV
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ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；
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固態過壓保護器
SSOVP
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ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、
IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ-
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壓變電阻
VARISTOR
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ID+； ID-；VC+ ；VC-
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雙向觸發二極管
DIAC
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VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,
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1.4系統曲線測試列舉
ID vs. VDS at
range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF
1.5系統軟件支持
器件測試程序的生成是通過在一臺運行系統為Windows或WindowsNT的PC機上接口程序實現的。該程序提供快速的器件測試程序生成，具有全屏顯示和增強型編輯幫助。
一種填空式編程方法向用戶提供簡明、直觀的使用環境。操作人員只需在提示下，輸入所選器件系列名稱和測試類型，并選擇所需測試的參數，而不必具有專業計算機編程語言知識。完成一個器件的測試程序編制只需幾分鐘的時間，非？旖莘奖恪
2． 系統內部簡介
2.1 概述
HUSTEC-5000測試系統通過PC機對其內部功率源、測試施加條件、測試具體線路進行控制，達到對器件進行測試的目的。在一定的測試條件下，這些源與條件負載按照條件準確的連接，其中包含了大量的負載、轉換功率源和所要求的外部測試線路。
2.2大功率半導體測試系統特點：
1.圖形顯示功能
2.局部放大功能
3.程序保護最大電流/電壓,以防損壞
4.品種繁多的曲線
5.可編程的數據點對應
6.增加線性或對數
7.可編程延遲時間可減少器件發熱
8.保存和重新導入入口程序
9.保存和導入之前捕獲圖象
10. 曲線數據直接導入到EXCEL
11.曲線程序和數據自動存入EXCEL
12.程序保護最大電流/電壓,以防損壞
3． 系統規格及技術指標
工作溫度：25℃--40℃
貯存溫度: -15℃-50℃
工作濕度：45%--80%
貯存濕度：10%--90%
工作電壓：200v--240v
電源頻率：47HZ--63HZ
接地要求：供電電源應良好接地。
通信接口：RS232 USB
系統功耗：<150w
設備尺寸：450mm×570mm×280mm
4、測試夾具、適配器
使用該系統測試二極管、齊納二極管、三極管、場效應管、固定三端穩壓器、可控硅等半導體分立器件，不需要適配器盒，只需把測試夾具插到系統前面板，把待測試的器件直接插到測試夾具上即可進行測試。
1）二極管夾具
細引線同軸二極管測試夾具
粗引線同軸二極管測試夾具
這兩種夾具采用測試同軸引線（兩端器件）二極管的插座。
DO4/5A 用于測試DO-4、DO-5封裝的管子，螺栓頭接陽極A
DO4/5K 用于測試DO-4、DO-5封裝的管子，螺栓頭接陰極K （極性與D4/5A不同）。
2）三極管夾具
TO220 用于測試TO-220封裝的三極管
TO3/66 用于測試TO-3、TO-66的三極管 （即F1、F2封裝）。
TO72 用于測試TO- 72封裝的三極管，四腳插座。
TO5/18 用于測試TO-5、TO-8封裝的三極管，金屬殼封裝。
TO92 用于測試TO-92封裝、基極在中央的小功率塑封三極管。
3） 可以提供各種表面貼封形式的分立器件的測試夾具。
4） 測試下列器件，除需要與封裝對應的測試夾具外，還需選用以下測試適配器：
a) HUSTEC-2000： 用于測試DIP4---DIP16多光耦。
b) HUSTEC-300： 用于測試達林頓陣列（如ULN2003等）。
c) HUSTEC-320： 用于測試三端穩壓器。
d) HUSTEC-6010： 用于多器件掃描測試。
e) HUSTEC-390： 用于測試繼電器。
5）IGBT測試夾具
5、系統主機產品詳細測試參數
器件參數/技術指標
5.1 晶體管 TRANSISTOR
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測試參數名稱
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電壓范圍
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電流范圍
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分辨率
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精度
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ICBO ICEO/R/S/V
IEBO
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0.10V to 999V(2kV)（1）
0.10V to 20V( 80V)（3）
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1nA(10pA)（2）
to
50mA 1nA(10pA)（2） to 3A
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1nA(1pA)（2）
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1%+1nA+10pA/V
(1%+200pA+2pA/V)（2）
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BVCEO
(電流大于10mA，
脈沖寬度300us)
BVCBO
BVEBO
|
0.10V to 450V( 900V)（1）
to
700V(1.4kV)（1）
to 1kV(2kV)（1）
0.10V to 999V(2kV)（1）
0.10V to 20V(80V)（3）
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1nA to 200mA
to 100mA
to 50mA
to 50mA
1nA(10pA)（2）to 3A
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1mV
|
1%+10mV
1%+10mV
|
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hFE
(1 to 99,999)
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VCE: 0.10V to 5.00V（5）
to 9.99V
to 49.9V
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IC: 10uA
to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4)
to 25A(100A) (5) (625A)(4) to 3A
IB: 1nA to 10A
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0.01hFE
|
VCE: 1%+10mV
IC: 1%+1nA
IB: 1%+5nA
|
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VCESAT
VBESAT
VBE(VBEON)
RE(間接參數)
|
VCE：
0.10V to 5.00V
to 9.99V
VBE：.10V
to 9.99V
|
IE： to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4)
to 25A(100A) (5) (625A)(4)
IB：1nA to 10A
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1mV
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V：1%＋10mV
IE：1%＋1nA
IB：1%＋5nA
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5.2二極管DIODE
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測試參數名稱
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電壓范圍
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電流范圍
|
分辨率
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精度
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IR
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0.10V to 999V(2kV)（1）
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1nA(10pA)（2） to 50mA
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1nA(1pA)（2）
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1%+10nA+10pA/V
(1%+200pA+2pA/V)（2）
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BVR
|
0.10V to 999V(2kV)（1）
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1nA to 3A
|
1mV
|
1%+10mV
|
|
VF
|
0.10V to 5.00V
to 9.99V
|
IF: 10uA to 49.9A(200A)(5)
(1250A)(4)
to 25A(100A) (5) (625A)(4)
|
1mV
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VF: 1%+10mV
IF: 1%+ 1nA
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5.3 穩壓二極管、齊納二極管ZENER
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測 試
參 數 名 稱
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電壓范圍
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電流范圍
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分辨率
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精度
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IR
|
0.10V to 999V(2kV)（1）
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1nA(10pA)（2） to
50mA
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1nA(1pA)（2）
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1%+10nA+10pA/V
(1%+200pA+2pA/V)（2）
|
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BVZ
VzMIN
IR
|
0.1V to 5.000V
to 9.999V
to 50.00V
to 700V(1.4kV)(1)
to 999V(2kV)(1)
BVZ Soak- 50V(100V)(1)
0 to
50ms to 99sec
|
10uA to 49.9A(200A)(5)
(1250A)(4)
to 25A(100A) (5) (625A)(4)
to 3A to 100mA
to 50mA
to 400mA
to 80mA
|
1mV
|
1%+10mV
|
|
VF
|
0.10V to 5.00V
to 9.99V
|
IF:10uA
to 49.9A(200A)(5)
(1250A)(4)
to 25A(100A) (5) (625A)(4)
|
1mV
|
V: 1%+10mV
IF: 1%+ 1nA
|
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ZZ(1kHz)
0.1Ω to 20kΩ
|
0.1V to 200VDC
50μV
to 300mV RMS
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100μA to 500mA DC
|
0.001Ω
1μV
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1%+1%量程
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5.4 三端電源穩壓器件REGULATOR
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測試參數名稱
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電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
Vo
Input / Output
Regulation
(混合參數)
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VO：0.10V
to 20V(50V)(3)
VIN：0.10V
to 49.9V
負載：電阻或電流型
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IO： 1mA to 5A
|
1mV
|
1%+10 mV
|
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IIN
|
VIN：0.10V
to 20V(50V)(3)
負載：RGK
1kΩ、10kΩ
外接，開路，短路
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IIN：1mA to 3A
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10nA
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1%+5nA
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5.5 J型場效應管J-FET
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測試參數名稱
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電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
IGSS
IDOFF、IDGO
|
VGS:0.10V to 20V(80V)(3)
VDS:0.10V to 999V(5kV)(1)
|
1nA(10pA) (2)
to 3A 1nA(10pA) (2)
to 50mA
|
1nA(1pA)(2)
|
1%+10nA+10pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(2)
|
|
BVDGO
BVGSS
|
0.10V to 999V(2kV)(1)
0.10V to 20V(80V)(3)
|
1nA
to 50 mA
1nA
to 3A
|
1mV
|
1%+100mV
1%+10mV
|
|
VDSON，VGSON
IDSS，IDSON
RDSON (混合參數)
gFS (混合參數)
|
0.10V to 5.00V
to 9.99V
|
ID: 10uA
to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4)
to 25A(100A) (5) (625A)(4)
IG：1nA
to 10A
|
1mV
|
V：1%+
10mV
ID：1%+1nA
IG：1%+5nA
|
|
VGSOFF
|
0.10V to 20V(80V)(3)
|
ID：1nA（10pA）（2）to 3A
VD：0.10V
to 50V
|
1mV
|
1%＋10mV
|
5.6 MOS場效應管 MOS-FET
|
測試參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
IDSS/V
IGSSF IGSSR
VGSF VGSR
|
0.10V to 999V(2kV(1)
0.10V to 20V(80V)(3)
|
1nA(10pA)(2) to 50mA
1nA(10pA)(2) to 3A
|
1nA(1pA) (2)
|
1%+10nA+10pA/V
(1%+200pA+2pA/V) (2)
|
|
BVDSS
|
0.10V to 999V(2kV)(1)
|
1nA to 50mA
|
1mV
|
1%+100mV
|
|
VGSTH
|
0.10V to 49.9V
|
ID: 100uA to 3A
|
1mV
|
1%+ 10mV
|
|
VDSON、VF(VSD)
IDON、VGSON
RDSON( 混 合 參 數 )
gFS (混 合 參 數 )
|
VD、VF：
0.10V to 5.00V to 9.99V
VGS：0.10V to 9.99V
|
IF、ID：10uA
to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4)
to 25A(100A) (5) (625A)(4)
IG：1nA
to 10A
|
1mV
|
V： 1%+10mV
IF、ID：1%+1nA
IG： 1%+5nA
|
5.7雙向可控硅開關器件（雙向晶閘管）TRIAC
|
測試參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
IDRM IRRM
IGKO
|
0.10V to 999V(2kV)(1)
0.10V to 20V(80V)(3)
|
1nA(10pA) (2) to 50mA
1nA(10pA) (2) to 3A
|
1nA(1pA)（2）
|
1%+10nA+10pA/V
(1%+200pA+2pA/V) (2)
|
|
VD+、VD-
BVGKO
|
0.01V to 999V(2kV) (1)
0.10V to 20V(80V) (3)
|
1nA to 50mA
1nA to 3A
|
1mV
|
1%+100mV
1%+10 mV
|
|
VT+ VT-
|
0.10V to 5.00V
to 9.99V
|
10uA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4)
to 25A(100A) (5) (625A)(4)
IGT：1nA
to 10A
|
1mV
|
V：1%+10mV
IT：1%+1nA
IGT：1%+5nA
|
|
I GT 1/2/3/4
VGT 1/2/3/4
|
VGT:0.10V to 20V(80V) (3)
VT: 100mV to 49.9V
|
IGT： 1nA to 3A
RL:12Ω.30Ω.100Ω.EXT
|
1mV
1nA
|
1%＋10mV
1%＋5nA
|
|
IL+、IL-
( 間 接 參 數 )
|
VD:5V to 49.9V
|
IL: 100μA to 3A
IGT: 1nA to 3A
RL:12Ω,30Ω,100Ω,EXT
|
N/A
|
N/A
|
|
IH+、IH-
|
VD:5V to 49.9V
|
IH: 10uA to 1.5A
IGT: 1nA to 3A
RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT
(IAK初值由RL設置 )
|
1uA
|
1%+2uA
|
5.8 單向可控硅整流器（普通晶閘管）SCR
|
測試參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
IDRM、IRRM、
IGKO
|
0.10V to 999V(2kV)(1)
0.10V to 20V( 80V)(3)
|
1nA(10pA)（2） to 50mA 1nA(10pA)（2）
to
3A
|
1nA(1pA)（2）
|
1%+10nA+10pA/V
(1%+200pA+2pA/V)（2）
|
|
VDRM、VRRM
BVGKO
|
0.10V to 999V(2kV)(1)
0.10V to 20V( 80V) (3)
|
1nA to 50mA
1nA to 3A
|
1mV
1mV
|
1%+100mV
1%+ 10mV
|
|
VTM
|
0.10V to 5.00V
to 9.99V
|
10μA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4)
to 25A(100A) (5) (625A)(4)
|
1 mV
|
VT：1%+10mV
IT： 1%+1nA
|
|
I GT
VGT
|
VD: 5V to 49.9V
VGT:0.10V
to 20V(80V)(3)
VT:100mV to 49.9V
|
IGT: 1nA to 3A
RL: 12Ω、30Ω、100Ω、
EXT
|
1 mV
1nA
|
1%+10mV
1%+ 5nA
|
|
IL
( 間 接 參 數 )
|
VD：5V to 49.9V
|
IL: 100μA to 3A
IGT: 1nA to 3A
RL: 12Ω,30Ω,100Ω,EXT
|
N/A
|
N/A
|
|
IL
( 間 接 參 數 )
|
VD：5V to 49.9V
|
IL: 100μA to 3A
IGT: 1nA to 3A
RL: 12Ω,30Ω,100Ω,EXT
|
N/A
|
N/A
|
|
IH
|
VD：5V to 49.9V
|
IH: 10uA to 1.5A
IGT: 1nA to 3A
RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT
(IAK初值由RL設置 )
|
1uA
|
1%+2uA
|
5.9 光電耦合器件OPTO-COUPLER
|
測試參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
ICOFF、ICBO
IR
|
0.10V to 999V(2kV) (1)
0.10V to 20V(80V) (3)
|
1nA(10pA) (2) to 50mA 1nA(10pA) (2) to 3A
|
1nA(1pA) (2)
|
1%+10nA+10pA/V
(1%+200pA+2pA/V) (2)
|
|
BVCEO BVECO
BVCBO
BVEBO
|
0.10V to 450V( 900V) (1)
to 700V(1.4kV) (1) to 1kV(2kV) (1)
0.10V to 999V(2kV) (1)
0.10V to 20V(80V) (3)
|
100μA to 200mA
to 100mA to 50mA
1nA(10pA) (2) to 50mA
1nA to 3A
|
1mV
|
1%+100 mV
1%+10mV
|
|
CTR(0.01 to 99.999)
hFE (1 to 99.999)
VCESAT VSAT
VF(Opto-Diode)
|
VCE: 0.10V to 5.00V(5)
to 9.99V
to 49.9V
VF: 0.10V to 9.99V
|
IC: 10uA
to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4)
to 25A(100A) (5) (625A)(4) to 3A
IF, IB: 1nA to 10A
|
0.0001CTR
0.01hFE
|
VCE: 1%+10mV
IC: 1%+1nA
IF,
IB: 1%+5nA
|
6.10光電開關管OPTO-SWITCH
|
測試參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
ICOFF
|
0.10V to 999V(2kV) (1)
|
1nA(10pA) (2) to 50mA
|
1nA(1pA) (2)
|
1%+10nA+10pA/V
(1%+200pA+2pA/V) (2)
|
|
VD
|
0.10V to 999V(2kV) (1)
|
1nA to 50mA
|
1mV
|
1%+100mV
|
|
Notch= IGT1、IGT4
VON=VSAT (Coupled)
|
VD: 0.10V to 5.00V
to 9.99V to 49.9V
|
IGT：1nA
to 3A
|
1mV
|
IGT: 1%+5nA
1%+10mV
|
|
ION = IGT1、IGT4
IOFF = IGT1、IGT4
|
|
IGT：1nA
to 3A
|
1mV
|
IGT: 1%+5nA
|
6.11光電邏輯器件OPTO-LOGIC
|
測試參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
IR
|
0.10V to 20V(80V) (3)
|
1nA(10pA) (2) to 50mA
|
1nA(1pA) (2)
|
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V) (2)
|
|
VF
|
0.10V to 20V
|
IF: 1nA to 10A
|
1mV
|
1%+10mV
|
|
VOH VOL
|
0.10V to 9.99V
|
1nA to 49.9A
|
1mV
|
1%+10mV
|
|
IFON IFOFF
ITH+B ITH-B
ITH+I ITH-I
|
0.10V to 9.90V
|
1nA to 10A
|
1mV
|
1%+10mV
|
6.12 金屬氧化物壓變電阻MOV
|
測試參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
ID+ ID-
|
2.50mV
to 49.9V(100V) (1)
|
1nA(10pA) (2) to
3A
|
1nA(1pA) (2)
|
1%+10nA+10pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(2)
|
|
VN+ VN-
VC+ VC-
|
0.10V to 450V( 900V)(1)
to 700V(1.4kV) (1) to 999V(2kV)(1)
|
1nA(10pA)(2) to 200mA
to 100mA to 50mA
|
1mV
|
1%+1%量程
|
6.13 固態過壓保護器SSOVP
|
測 試
參 數 名 稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
ID+ ID-
|
2.50mV to 1kV(2kV)（1）
|
1nA(10pA)(2) to
3A
|
1nA(1pA)(2)
|
1%+10nA+10pA/V (1%+200pA+2pA/V)(2)
|
|
VCLAMP+, VCLAMP-
|
2.50mV to 1kV(2kV)（1）
|
10mA to 900mA
|
1mV
|
1%+1%量程
|
|
VT+、VT-
|
5mV to 20V
|
IT：1nA to 49.9A
IB：10mA to 900mA
|
1mV
|
V:
1%+10Mv IT: 1%+1nA IB：1%+5nA
|
|
IH+、IH-
|
VHVGS: 100mV to 20V
|
IH: 10mA to 1A
|
1uA
|
1%+2uA
|
|
IBO+ IBO-
|
VT:
2.50mV to 400V(1)
|
IB: 10mA to 900mA
|
1nA(1pA) (2)
|
1%+1nA
|
|
VBO+ VBO-
|
2.50mV to 400V
|
10mA to 900mA
|
1mV
|
1%+10mV
|
|
VZ+ VZ-
VT+ VT-
|
2.50mV to 1kV
5.00mV to 20V
|
1nA to 3A
IT: 1nA to 49.9A
IB: 10mA to 900mA
|
1mV
|
V: 1%+10mV
|
6.14 繼電器RELAY
|
測試參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
RCOIL 1Ω to 10kΩ
|
2.50V to 999V
|
10mA to 3A
|
0.001Ω
|
1%+1%量程
|
|
VOPER
|
|
|
0.1V
|
1% + 0.1V
|
|
VREL
|
100mV to 49.9V
|
|
0.1V
|
1% + 0.1V
|
|
RCONT (10mΩ to 10kΩ)
|
|
10mA to 9.90A
|
0.001Ω
|
1%+1%量程
|
|
OPTIME
/ RELTIME ( 100us to 65ms)
|
|
|
1us
|
1%+1%量程
|
6.15 絕緣柵雙極大功率晶體管IGBT
|
測試參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
ICES IGESF
IGESR
|
0.10V to 999V(2kV)(1)
0.10V to 20V(80V) (3)
|
1nA(10pA)(2) to 50mA
1nA(10pA)(2) to 3A
|
1nA(1pA) (2)
|
1%+10nA+10pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(2)
|
|
BVCES
|
0.1V to 450V( 900V)(1)
to 700V(1.4V)(1) to 1kV(2kV)(1)
|
100μA to 200mA
To 100mA to 50mA
|
1mV
|
1%+100mV
|
|
VGETH
|
0.10V to 20V(50V) (3)
|
1nA to 3A
|
1mV
|
1%+10mV
|
|
VCESAT ICON
VGEON VF
gFS (混合參數)
|
VCE:0.10V to 5.00V
to 9.99V
VGE: 0.10V to 9.99V
|
IC:10mA
to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4)
to 25A(100A) (5) (625A)(4)
IF, IGE: 1nA to 10A
|
1mV
|
V:
1%+10mV
IF IC: 1%+1nA
IGE:
1%+5nA
|
6.16 硅觸發可控硅STS
|
測試參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
IH+ IH-
|
VD:2.5mV
to 1000V(2kV)(1)
|
IH: 1nA to 49.9A
RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT (IAK 初值由RL設置)
|
1uA
|
1%+2uA
1%+1%量程
|
|
VSW+ VSW-、
VPK+ VPK-、
VGSW+ VGSW-
|
0.1V to 20(80V) (3)
|
1nA to 10A
|
1mV
|
1%+10mV
1%+5nA
|
6.17 壓變電阻VARISTOR
|
測試參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
ID+ ID-
|
VD:2.5mV to 1kV(2kV)(1)
|
1nA to 3A
|
1uA
|
1%+10nA+10pA/V (1%+10nA+10pA)(2)
V:
1%+1%量程
|
|
VC+ VC-、
|
100mV to 10V
|
1nA to 49.9A
|
1mV
|
1%+10mV
|
6.18達林頓陣列DARLINTON
|
電參數名稱
|
電壓范圍
|
電流范圍
|
分辨率
|
精度
|
|
ICBO
ICEO/R/S/X
IEBO
|
0.10V to 999V(2kV)(1)
0.10V to 20V( 80V)(3)
|
100nA(100pA)(2) to 50mA
100nA(100pA)(2) to 3A
|
1nA(50pA)(2)
|
1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(1)
|
|
BVCEO/R/E/S
(10mA 以上使用300us 脈沖)
BVCBO
BVEBO
|
0.10V to 450V( 900V)(1)
to 700V(1.4kV)(1) to 1kV(2kV)(1)
0.10V to 999V(2kV)(1)
0.10V to 20V(80V)(3)
|
100nA to 200mA
to
100mA to 50mA
100nA to 50mA
100nA to 3A
|
5mV
|
1%+100mV
1%+10mV
|
|
hFE
(1 to 99,999)
|
VCE:0.10V to 5.00V(5)
to 9.99V
to 49.9V
|
IC:10uA to 49.9A(200A)(5)
(1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) to 3A
IB: 100nA to 10A
|
|
VCE: 1%+10mV
IC: 1%+100nA
IB: 1%+5nA
|
|
VCESAT, VBESAT
VBE(VBEON)
|
VCE:0.10V to 5.00V
to 9.99V
VBE:0.10V to 9.99V
|
IE:10uA to 49.9A(250A)（4）
to 25A (125A)（4）
IB: 100nA to 10A
|
5mV
|
V: 1%+10mV
IE:1%+100nA
IB:1%+5nA
|
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