供應cbb/cl超小型 104j/100v金屬化薄膜電容 0.1uf金屬膜電容 p=5mm |
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價格: 元(人民幣) | 產地:本地 |
最少起訂量:1 | 發貨地:本地至全國 | |
上架時間:2019-05-10 21:04:52 | 瀏覽量:226 | |
黃山申格電子科技有限公司
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經營模式:其他 | 公司類型:生產加工 | |
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供應cbb/cl超小型 104j/100v金屬化薄膜電容 0.1uf金屬膜電容 p=5mm 點我去除廣告 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 超小型金屬化聚酯膜電容器(浸漬型)((p=5.0) miniature metallized polyester film capacitor (dipped) cl21x series ■采用標準 gb7332(iec60384-2) ■結構 介質:聚酯膜 電極:金屬真空蒸發層 封裝:阻燃環氧粉末包封(ul94 v-0) 引線:鍍錫銅包鋼線(cp線)或鍍錫銅線 ■典型應用 適用高密度插入電子元件的電路板中 一般用于濾波,降噪的邏輯電路。 應用范圍:開關電源、逆變電源、整流電源、電子鎮流器、變頻器等中間電路直流濾波。 ■特點 體積較小,有良好自愈性;外觀一致性好;高可靠性。 ■符合rohs標準 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 貨以真取信,價以實取勝! 直插金屬化薄膜電容器詳細描述: 金屬化膜電容器,在將雙面金屬化聚丙烯膜和非金屬化聚丙烯膜進行卷取或者疊層所組成的金屬化膜電容器。 薄膜電容器由于具有很多優良的特性,因此是一種性能優秀的電容器。它的主要特性如下:無極性,絕緣阻抗很高,頻率特性優異(頻率響應寬廣),而且介質損失很小。基于以上的優點,所以薄膜電容器被大量使用在類比電路上。尤其是在信號交連的部份,必須使用頻率特性良好,介質損失極低的電容器,方能確保信號在傳送時,不致有太大的失真情形發生。在所有的塑膠薄膜電容當中,又以聚丙烯(pp)電容和聚苯乙烯(ps)電容的特性***為顯著,當然這兩種電容器的價格也比較高。然而近年來音響器材為了提升聲音的品質,所采用的零件材料已愈來愈高級,價格并非***重要的考量因素,所以近年來pp電容和ps電容被使用在音響器材的頻率與數量也愈來愈高。讀者們可以經常見到某某牌的器材,號稱用了多少某某的pp質電容或ps質電容,以做為在聲音品質上的背書,其道理就在此。 通常的薄膜電容器其制法是將鋁等金屬箔當成電極和塑膠薄膜重疊后卷繞在一起制成。但是另外薄膜電容器又有一種制造法,叫做金屬化薄膜(metallizedfilm),其制法是在塑膠薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度,縮小電容器單位容量的體積,所以薄膜電容器較容易做成小型,容量大的電容器。例如常見的mkp電容,就是金屬化聚丙烯膜電容器(metailizedpolypropylene film capacitor)的代稱,而mkt則是金屬化聚乙酯電容(metailized polyester)的代稱。 金屬化聚丙烯膜電容器 cbb21 為無感結構,用金屬化聚丙烯薄膜作為電介質/電極繞制而成,導線采用鍍錫銅包鋼絲,使用環氧樹脂密封。 高頻損耗小 內部溫升小 絕緣電阻高,自愈性好,壽命長e 廣泛用于高頻、直流、交流、脈沖和s校正電路中 金屬箔式聚丙烯膜電容器cbb13 為無感結構,用聚丙烯薄膜作為電介質和鋁箔為電極繞制而成,導線采用鍍錫銅包鋼絲,使用環氧樹脂密封。 高頻損耗小 優異的頻率和溫度特性 廣泛用于高頻、直流、脈沖電路中 電光源專用金屬化/箔式聚丙烯膜電容器cbb18 體積小,重量輕 優異的頻率和溫度特性 高頻損耗小,內部溫升極小,可靠性高 負電容量溫度系數且穩定性好 適用于節能燈、電子鎮流器等高頻大電流電路中 金屬化聚丙烯膜塑殼電容器cbb21b 為無感結構,用金屬化聚丙烯薄膜作為電介質/電極繞制而成,導線采用鍍錫銅包鋼絲,使用環氧樹脂密封在塑米殼內 塑料外殼封裝,外觀一致性好 高頻損耗小,適用于較大電流 絕緣電阻高,自愈性好,壽命長 廣泛用于高頻、直流、交流和脈沖電路中 高壓聚丙烯膜電容器cbb81 為無感結構,用金屬化聚丙烯薄膜作為電介質和鋁箔為電極繞制而成,導線采用鍍錫銅包鋼絲,使用環氧樹脂密封 優異的頻率和溫度特性 高頻損耗小,內部溫升極小,可靠性高 負電容量溫度系數且穩定性好 專為彩電及監視器的行逆程電路設計,適用于高脈沖,大電流電路 金屬化聚丙烯膜高壓電容器cbb81 優良的阻燃性能 高頻損耗小 絕性電阻高,自愈性好,可靠性高 適用于節能燈,電子鎮流器等高頻大電流電路中 技術指標 (iec384-2 gb7335-87) 1.使用溫度:-40℃~+105℃ 2.額定電壓:100~630v(dc) 3.容量范圍:0.01~-4.7μf 4.耐電壓:1.75vr,5s 5.允許偏差:±5%(j),±10%(k),±20%(m) 6.損耗角正切值:tgδ≤0.001(at 20℃,1khz) 7.絕緣電阻:c≤0.33μf, ≥50000mω;c>0.33μf, ≥15000s(1min) ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
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