新聞:商洛FF400R17KE3大功率IGBT模塊-中國PLC網

新聞:商洛FF400R17KE3大功率IGBT模塊

	價格：1 元(人民幣)	產地：德國
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	上架時間：2019-12-04 13:37:54	瀏覽量：51
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注意事項
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。　因此使用中要注意以下幾點：
1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;
2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。
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12月24日，在北京舉行的十二屆全國人大常委會第二十五次會議上，全國郎勝對低速電動車的管理提出問詢，工信部、部、工商總局均進行了回應，使出臺產業技術標準和管理規定變得更加急迫。27日下午，國家標準委員會緊急召開了四輪低速電動車標準工作組第二次會議。中國汽車工程學會理事、全國汽車標準化電動汽車專業委員會副主任陳全世向記者表示，“低速電動車的管理技術標準制定周期，相較此前24個月的立項期有所縮短，預計提前到明年兩會前出臺”。
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在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。
在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱，而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。

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2016年度的百度世界大會有兩個關鍵詞“開放”和“應用”——百度首先是開源了深度學習平臺Paddlepaddle，隨后發布人工智能開放平臺ai．baidu．com；在應用上，百度在想智能硬件和智能商務發展。會上李彥宏用一個小時的主題演講，介紹了百度大腦在語言、圖像、自然語言處理和用戶畫像這四方面的應用。從會場展位、論壇設計到講者邀請，大會凸顯了百度擁抱以深度學習為代表的人工智能技術的誠意和決心。陸奇加入后，百度會在人工智能方面如何作為，值得關注。
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1. 一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕;
2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;
3. 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;
4. 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;
5. 裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。
6. 檢測IGBT模塊的的辦法。

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鄧勇介紹，這7項已批復的重大科技基礎設施中，上海光源線站工程、高能同步輻射光源驗證裝置已開工建設。此外，中科院承擔的另外幾項重大設施也正在立項推進過程中。未來，中科院將結合自身優勢，積極爭取空間環境地基監測網、高能同步輻射光源等國家重大科技基礎設施的建設任務。研究所分類改革持續推進1月16日下午，在中國科學院召開的新聞發布會上，中科院副秘書長、發展規劃局局長汪克強表示，研究所分類改革是中科院“率先行動”計劃提出的一項重大改革舉措，也是新時期中科院全面深化改革的著力點和突破口。

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