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外延硅片

	價格：元(人民幣)	產地：本地
	最少起訂量：1	發貨地：本地至全國
	上架時間：2019-11-25 09:18:52	瀏覽量：194
	哈爾濱特博科技有限公司
	經營模式：其他	公司類型：生產加工
	所屬行業：有色金屬	主要客戶：全國
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?特博公司加工定制各種硅外延片，可接受批量訂單。
出口品質，

一、硅外延的定義
硅外延工藝實際上是一種薄層的單晶生長技術，它是在一定的條件下，在硅單晶的襯底片上，沿單晶的結晶方向生長一層具有一定導電類型，電阻率、厚度、晶格結構與體單晶一致的新單晶層。

二、硅外延生長工藝的優點
1、生長溫度比它本身的熔點要低
2、可以獲得純度高、缺陷少的單晶薄層
3、由于摻雜工藝靈活，可以獲得多種結構的單晶或多層外延便于器件參數結構的調整
三、硅外延工藝的分類
1、按結構分類?同質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料相同，例如N/N+，P/P+
??????????異質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料不同，例：SOI(絕緣襯底上外延)
2、按外延層的厚度和電阻率分類??????????????????
厚度和電阻率均可按客戶要求精確控制
3、按外延生長方法分類
直接法——不經過中間化學反應，硅原子直接從源轉移到襯底片上形成外延層，例：真空濺射法，分子束外延（物理法）液相外延等等
間接法——通過還原或分解硅化合物得到所需要的硅原子，然后在襯底上淀積形成外延層，我們的硅外延就屬于間接生長工藝
四、硅外延的基本原理
1、四種硅源的化學反應及其優點
表一.硅烷和氯硅烷外延
硅源熔點（℃）沸點（℃）化學反應式淀積壓力溫度范圍典型生長速率um/min
SiCl4 -68 57.6 SiCl4+2H2=Si+4HCl 常壓減壓 1150-1200 0.5-1.2
SiHCl3 -127 31.8 SiHCl3+H2=Si+3HCl 常壓減壓 1100-1150 1.0-3
SiH2Cl2 -122 8.3 SiH2Cl2=SI+2HCl 常壓減壓 1050-1100 0.5-2
SiH4 -185 -112 SiH4=Si+2H2 常壓減壓 900-1000 0.1-0.5

2、硅外延的生長過程
硅的化學氣相沉積外延生長其原理是在高溫（＞1100℃）的襯底上輸送硅的化合物（SiHCl3或SiCl4或SiH2Cl2等）利用氫（H2）在襯底上通過還原反應析出硅的方法。

氣相外延生長過程包括：
（1）反應劑（SiCl4或SiHCl3+H2）氣體混合物質量轉移到襯底表面；
??（2）吸收反應劑分子在表面上（反應物分子穿過附面層向襯底表面遷移）；
??（3）在表面上進行反應得到硅原子及其副產物；
??（4）釋放出副產物分子；
??（5）副產物分子向主氣流質量轉移；（排外）
??（6）硅原子先在生長層表面形成原子集團——晶核，接著加接到晶核上，使晶核增大，形成新的晶面。

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