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4英寸砷化鎵晶片規格書
級別：LED級(按應用分級）
材質：VFG垂直梯度凝固法生長砷化鎵單晶
晶向：偏15度±1.0°
導電類型：N型，硅（Si）摻雜
電阻率：0.8-9E^-3 ohm.cm
位錯密度： EPD 電子遷移率：Mobility >1000 cm2/v.s
直徑：100 ± 0.2mm
厚度：350 um± 25mm
主定位邊：EJ±1.0°，長32mm
次定位邊：EJ±1.0°，長18mm
表面：單面拋光/雙面拋光
TTV≤10 um
BOW≤20 um
WARP≤25 um
包裝：25片/盒多片盒卡塞裝

砷化鎵（GaAs）是目前重要且成熟的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料之一，廣泛應用于光電子和微電子領域。砷化鎵材料主要分為兩類：半絕緣砷化鎵材料和半導體砷化鎵材料。半絕緣砷化鎵材料主要制作 MESFET、 HEMT 和 HBT 結構的集成電路。主要用于雷達、微波及毫米波通信、超高速計算機及光纖通信等領域。半導體砷化鎵材料主要應用于半導體激光器（LD）、半導體發光二極管（LED）、近紅外激光器、量子阱大功率激光器和高效太陽能電池。