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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備類金剛石 Ta-C 涂層

發布者：bdqysh 發布時間：2021-01-07 15:58:07

上海某大學研究室在離子濺射制備類金剛石 Ta-C 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 作為濺射源

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

射頻離子源型號	RFICP380
Discharge 陽極	射頻 RFICP
離子束流	>1500 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	39 cm
直徑	59 cm
中和器	LFN 2000

KRI 考夫曼離子源 RFICP 380

該實驗以 99.9% 純度 Ti 靶和純度石墨靶為原材料, 通過離子濺射技術在硬質合金表面制備 Ta-C涂層.

研究結果:

石墨靶濺射時間 55min 時制備的 Ta-C涂層綜合性能較優, 涂層摩擦系數較低達到 0.13, 對膜副表面形成了石墨轉移膜, 對 Ta-C 涂層起到潤滑作用.

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